TP65H050WS / TP65H035WS Tretja generacija (Gen III) Galijev nitrid (GaN) Field-Effect Transistors (FETs)

TransFormov GaN FETs imajo tišje preklapljanje z zmanjšanjem elektromagnetnih motenj (EMI) in povečanjem imunosti hrupa

Tranzistorji TP65H050WS in TP65H035WS so Gen III 650 V GaN FETs. Ustvarjajo nižjo EMI, povečajo imunost vratnega hrupa in večjo površino v vezjih. 50 m & Omega; TP65H050WS in 35 m & Omega; TP65H035WS so na voljo v standardnih paketih TO-247.

Modifikacije MOSFET in modifikacije omogočajo napravam Gen III, da zagotovijo povečano mejno vrednost napetosti (odpornost proti hrupu) na 4 V od 2,1 V (Gen II), ki odpravlja potrebo po negativnem pogonu vrat. Zanesljivost vrat se je povečala iz Gen II za 11% do največ + 20 V. To ima za posledico tišje preklop in platforma zagotavlja izboljšanje zmogljivosti na višjih trenutnih ravneh s preprostim zunanjim vezjem.

Podjetje 1600T Seasonic Electronics je 1600 W brezstopenjski totem-pole platforma, ki uporablja te visokonapetostne GaN FET-ove, da prinese 99-odstotno učinkovitost korekcije moči (PFC) v polnilnikih (e-skuterji, industrijski in več), moči računalnika, strežnikih , in igralniških trgov. Prednosti uporabe teh FET s silikonsko platformo 1600T vključujejo povečano učinkovitost za 2% in povečano gostoto moči za 20%.

Platforma 1600T uporablja transformno TP65H035WS za doseganje večje učinkovitosti v trdih in mehkih komutiranih tokokrogih ter uporabnikom nudi možnosti pri načrtovanju izdelkov za napajanje. TP65H035WS parov s pogosto uporabljenimi gonilniki za poenostavitev modelov.